Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM50N200HD
MOSFET N-CH 200V 51A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM50N200HD
RM50N200HD Hakkında
RM50N200HD, Rectron USA tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi (Vdss) ve 51A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 32mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ve 214W güç tüketim kapasitesi ile verimli çalışma sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve ağır yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C arası) sayesinde zorlu ortam koşullarına uyum gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1598 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok