Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM4P30S6
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23-6
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM4P30S
RM4P30S6 Hakkında
RM4P30S6, Rectron USA tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 30V Drain-Source gerilimi ve 4.2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışır. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 55mOhm olup, 2.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan bu MOSFET, düşük güç tüketim uygulamalarında (maksimum 1.2W), analog anahtarlama devrelerinde, power distribution sistemlerinde ve batarya yönetimi uygulamalarında kullanılır. 880pF input kapasitansi ve ±12V maksimum gate gerilimi ile yüksek hızlı switching operasyonları destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 880 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok