Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM4P20ES6
MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23-6
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM4P20ES6
RM4P20ES6 Hakkında
RM4P20ES6, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source gerilim ve 4.1A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 52mOhm maksimum on-dirençle (4.5V gate-source geriliminde) karakterize edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.7W güç saçılımı kabiliyetine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve düşük gerilim DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate eşik gerilimi 1V'tur (250µA akımında).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok