Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM4N700S4
MOSFET N-CH 700V 4A SOT223-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-261-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM4N700S
RM4N700S4 Hakkında
RM4N700S4, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V Drain-Source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. SOT-223-2 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 1.3Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ürün, anahtarlama devreleri, güç denetimi, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 304pF giriş kapasitanslı ve ±30V maksimum gate-source gerilim desteğiyle güvenilir anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 304 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok