Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM4N700LD
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM4N700LD
RM4N700LD Hakkında
RM4N700LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate-source geriliminde 1.4Ω RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 46W güç tüketebilir. 280pF input kapasitansi ve 3.5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama işlemleri için uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok