Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM4N700IP
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM4N700IP
RM4N700IP Hakkında
RM4N700IP, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 IPak paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 1.4Ω maksimum RDS(on) direnci ile karakterizedir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında 46W maksimum güç tüketebilir. Yüksek gerilim güç elektronikleri, DC-DC dönüştürücüler, anahtar modlu güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok