Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM4N650TI
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220F
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM4N650TI
RM4N650TI Hakkında
RM4N650TI, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim dayanımına sahip bu bileşen, 4A sürekli akım (Tc=25°C) iletebilir ve 28.5W güç tüketebilir. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 10V drive voltajında 1.2Ohm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±30V Vgs toleransı ile çalışabilen cihaz, -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığına uyumluluk gösterir. Endüstriyel anahtarlama, SMPS (Switch Mode Power Supply), motor kontrol, enerji yönetimi ve güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok