Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM47N650T7
MOSFET N-CHANNEL 650V 47A TO247
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM47N650T7
RM47N650T7 Hakkında
RM47N650T7, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış olup, 47A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu FET, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, inverter devrelerinde ve endüstriyel motor kontrolü sistemlerinde kullanılmaktadır. 81mOhm (10V, 15.6A'de) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V gate voltajı aralığında çalışabilen ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sunan bu transistör, 417W maksimum güç saçılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3111.9 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 81mOhm @ 15.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok