Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM42P30DN

MOSFET P-CHANNEL 30V 42A 8DFN

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
RM42P30DN

RM42P30DN Hakkında

RM42P30DN, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 42A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (3x3) yüzey montajlı paket içinde gelen bu bileşen, maksimum 14mOhm on-state direnci (10V gate geriliminde 30A'da) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 2215pF input kapasitansi ve 2.5V threshold gerilimi, hızlı ve güvenilir anahtarlama davranışı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2215 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN-EP (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok