Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM35N30DN
MOSFET N-CHANNEL 30V 35A 8DFN
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM35N30DN
RM35N30DN Hakkında
RM35N30DN, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerVDFN (3x3mm) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 5.5mΩ maksimum RDS(on) direncine ve 3V eşik gerilimine (Vgs(th)) sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve elektrik anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Giriş kapasitansi 1265pF (15V'de) olup, maksimum güç yayılımı 35W'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1265 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP (3x3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok