Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM30P55LD
MOSFET P-CHANNEL 55V 30A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM30P55LD
RM30P55LD Hakkında
RM30P55LD, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 40mΩ maksimum RdsOn direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında, endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 65W güç tüketim kapasitesi ile yüksek akım işleme gereken devreler için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok