Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM30P30D3

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8DFN

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
RM30P30D3

RM30P30D3 Hakkında

RM30P30D3, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-PowerVDFN (3x3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 10mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazlarda kullanılabilir. DC-DC dönüştürücüler, pil yönetim sistemleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 2150pF maksimum giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 40W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN-EP (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok