Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM30N100LD
MOSFET N-CH 100V 30A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM30N100LD
RM30N100LD Hakkında
RM30N100LD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) surface mount paketi içinde sunulur. 10V kapı geriliminde 31mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 85W güç yayımı kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel denetim sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok