Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM2P60S2

MOSFET P-CHANNEL 60V 1.9A SOT23

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RM2P60S2

RM2P60S2 Hakkında

RM2P60S2, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj desteği ve 1.9A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23 (TO-236-3) paket türü ile yüzey montajlı PCB tasarımlarına uyumludur. 215mOhm maksimum on-resistance değeri (10V, 1.8A koşullarında) ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında elektronik anahtarlama, amplifikasyon ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 358 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok