Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM2N650IP
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM2N650IP
RM2N650IP Hakkında
RM2N650IP, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 2.5Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 23W güç tüketebilir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve yüksek gerilim dönüştürücü sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ±30V gate gerilimi ve 3.5V eşik gerilimi ile kontrollü anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 23W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok