Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM2A8N60S4
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM2A8N60S4
RM2A8N60S4 Hakkında
RM2A8N60S4, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drenaj akımı ile çalışır. SOT-223-3 yüzey montajı paketinde sunulur. 100mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) ve 10V gate geriliminde çalıştırılmaya uygundur. -55°C ile +150°C arasında stabil çalışır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve düşük güç sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.5W maksimum güç tüketimi ile verimli bir çözüm sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 715 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok