Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM27P30LDV
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM27P30LDV
RM27P30LDV Hakkında
RM27P30LDV, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 27A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulmaktadır. 10V kapı geriliminde 30mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük direnç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve yük kontrolü sistemlerinde tercih edilmektedir. 40W maksimum güç yayılımı kapasitesiyle endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok