Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM27P30LD
MOSFET P-CHANNEL 30V 27A TO252-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM27P30LD
RM27P30LD Hakkında
RM27P30LD, Rectron USA tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı özelliğine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında ve yük kontrol devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan RM27P30LD, düşük RDS(on) değeri (30mΩ @ 10V) ile ısıl kayıpları minimize eder. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 175°C arasında) stabil performans sunar. Batarya yönetim sistemleri, motor sürücü devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 31.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok