Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM2333

MOSFET P-CHANNEL 12V 6A SOT23

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RM2333

RM2333 Hakkında

RM2333, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23 yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 30mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir ve 4.5V gate geriliminde çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, inverter tasarımları ve düşük voltaj DC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 1100pF giriş kapasitesi ve ±12V maksimum gate-source gerilimi ile kontrol ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok