Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM2312

MOSFET N-CHANNEL 20V 4.5A SOT23

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RM2312

RM2312 Hakkında

RM2312, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini yerine getirir. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 33mOhm maksimum RDS(on) değeri sayesinde minimal enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve düşük voltaj DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 8 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 4.5A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok