Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM2309E
MOSFET P-CHANNEL 30V SOT23
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM2309E
RM2309E Hakkında
RM2309E, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile çalışır ve SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı pakette sunulur. 10V gate voltajında 38mOhm maksimum açık kanal direnci (Rds On) sağlar ve 1A drain akımında karakterize edilmiştir. ±20V maksimum gate-source voltajı ile geniş kontrol aralığında çalışabilir. 2.5V eşik geriliminde 250µA akımda açılır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok