Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM2309
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.1A SOT23
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM2309
RM2309 Hakkında
RM2309, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Vdss derecesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 3.1A sürekli dren akımı kapasitesine ve 70mOhm RDS(on) değerine sahiptir. SOT-23 paketindeki kompakt tasarımı, sınırlı alan gereken devrelerde kullanımına olanak tanır. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 1W güç dağılım kapasitesi sayesinde çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yer alır. Özellikle batarya yönetimi, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve düşük güçlü motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 226 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok