Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM2306E

MOSFET N-CHANNEL 30V 5.3A SOT23

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
RM2306

RM2306E Hakkında

RM2306E, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 31mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gümrük, anahtarlama, PWM uygulamaları, düşük voltaj DC-DC dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 370 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.39W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6.7A, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok