Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM2305B
MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM2305B
RM2305B Hakkında
RM2305B, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj ile 3A (Ta) / 4.1A (Tc) sürekli dren akımına kapasite sahiptir. SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, düşük on-resistance değeri (52mOhm @ 4.5V) ve geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilir. ±12V gate-source voltaj aralığında işletilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, battery management systemleri ve portable elektronik cihazlarda yaygın olarak kullanılır. 1.7W maksimum güç tüketimi ile kompakt ve enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok