Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM2305
MOSFET P-CH 20V 3A/4.1A SOT23
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM2305
RM2305 Hakkında
RM2305, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile 3A/4.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SOT-23-3 yüzey montajlı paketlemesi sayesinde kompakt tasarımlarda kullanılabilir. 52mOhm maksimum açık durumu direnci (Rds On) ile anahtarlama işlemlerinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanıma uygundur. Düşük kapı kapasitansi (Ciss) değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. Güç yönetimi, analog anahtarlar, uydu entegreler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 4.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 4 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 4.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok