Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM2301E
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.6A SOT23
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM2301
RM2301E Hakkında
RM2301E, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi ve 2.6A sürekli dren akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 120mOhm maksimum On-direnç (Rds On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan transistör, düşük güç tüketimli devreler, güç yönetimi, batarya koruma devreleri ve analog anahtarlamada yaygın olarak uygulanır. 4.5V ile kontrol edilebilen ve 1V eşik gerilimi bulunan RM2301E, kompakt tasarımlar için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok