Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM21N650T2
MOSFET N-CH 650V 21A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM21N650T2
RM21N650T2 Hakkında
RM21N650T2, Rectron USA tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 21A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 188W maksimum güç disipasyonu ile orta-yüksek güç devre tasarımlarına uygun bir bileşendir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektroniği, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 10V gate voltajında 180mOhm on-resistance ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir operasyon garantiler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok