Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM210N75HD

MOSFET N-CH 75V 210A TO263-2

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
RM210N75HD

RM210N75HD Hakkında

RM210N75HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 75V drain-source gerilimi ve 210A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-2 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. Maksimum 330W güç disipasyonu ile düşük 4mΩ RDS(on) direnci sayesinde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 210A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package TO-263-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok