Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM20N650TI
MOSFET N-CHANNEL 650V 20A TO220F
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM20N650TI
RM20N650TI Hakkında
RM20N650TI, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 20A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate sürücü voltajı ile çalışır ve 210mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj switch uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok