Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM20N650HD
MOSFET N-CH 650V 20A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM20N650HD
RM20N650HD Hakkında
RM20N650HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drenaj-kaynak voltajı ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-263-2 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde, özellikle AC-DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve enerji yönetimi sistemlerinde yer alır. 10V gate voltajında 210mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp tasarımlar sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 180W güç disipasyon kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok