Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM1A5N30S3AE
MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SOT323
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM1A5N30S3AE
RM1A5N30S3AE Hakkında
RM1A5N30S3AE, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 1.5A (Ta) / 1.4A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. SOT-323 (SC-70) yüzey montajlı paket ile küçük form faktörü sağlar. 4.5V gate-source geriliminde maksimum 144mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunmaktadır. -50°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 400mW (Ta) / 500mW (Tc) güç tüketim kapasitesi ile kompakt elektronik tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta), 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 105 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 500mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144mOhm @ 1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok