Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM1A4N150S6
MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT23-6
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM1A4N150S6
RM1A4N150S6 Hakkında
RM1A4N150S6, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 150V drain-source voltajda 1.4A sürekli drenaj akımı kapasitesi bulunmaktadır. SOT-23-6 yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 480mOhm maksimum on-state direnci (10V, 1A) ile düşük güç kaybı sağlar. 700pF input kapasitesi ve ±20V gate-source voltaj aralığı ile, PWM kontrol, anahtar uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. -50°C ile 150°C arasında çalışabilir, maksimum 1.56W güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.56W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok