Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM18P100HDE
MOSFET P-CH 100V 18A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM18P100H
RM18P100HDE Hakkında
RM18P100HDE, Rectron USA tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, TO-263-2 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 100mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 70W maksimum güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok