Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM180N100T2
MOSFET N-CH 100V 180A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM180N100T2
RM180N100T2 Hakkında
RM180N100T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 180A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 10V gate voltajında 3mΩ'dur. -55°C ile 175°C arasında çalışan ve 300W güç yayabilme kapasitesine sahip bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 4.5V eşik voltajı ve düşük input kapasitansı (1150pF) ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok