Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM17N800TI
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220F
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM17N800TI
RM17N800TI Hakkında
RM17N800TI, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde, UPS sistemlerinde, endüstriyel kontrol uygulamalarında ve enerji yönetim sistemlerinde tercih edilir. 10V gate geriliminde 320mOhm düşük kanal direnci, verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, 35W güç dağıtımı kapasitesi ile güvenilir uzun süreli operasyon sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok