Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM17N800T2
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM17N800T2
RM17N800T2 Hakkında
RM17N800T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajında 17A sürekli akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 320mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ve 260W güç dağıtabilen bu transistör, güç kaynakları, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve yüksek voltaj kontrol uygulamalarında tercih edilir. 2060pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2060 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 260W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok