Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM170N30DF

MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
RM170N30DF

RM170N30DF Hakkında

RM170N30DF, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 170A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.65mOhm maksimum on-state direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (5x6mm) yüzey montaj paketiyle kompakt tasarımlarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7300 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 85A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok