Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM15N650T2

MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RM15N650T2

RM15N650T2 Hakkında

RM15N650T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim aralığında 15A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 10V gate gerilimi ile 260mΩ maksimum RDS(on) değerine ulaşır. TO-220-3 kılıfında sunulan bu bileşen, yüksek gerilim güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu FET, 145W maksimum güç dağıtabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, LED denetim devreleri ve konvertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok