Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM150N60HD

MOSFET N-CH 60V 150A TO263-2

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
RM150N60HD

RM150N60HD Hakkında

RM150N60HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 150A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. 4.5mΩ maksimum RdsOn değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, maksimum 220W güç dağıtabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücü devrelerde kullanılır. 10V gate-source sürü voltajı ile hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Ciss kapasitansi 6500pF olup VGS limitasyonu ±20V'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package TO-263-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok