Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM150N150HD

MOSFET N-CH 150V 150A TO263-2

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
RM150N150HD

RM150N150HD Hakkında

RM150N150HD, Rectron USA tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 150V drain-source voltajı (Vdss) ve 150A sürekli drain akımı (Id) ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 7.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kapalı durum direnci sağlar. 320W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç elektroniği, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve endüstriyel denetim uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 320W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 70A, 10V
Supplier Device Package TO-263-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok