Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM150N100T2

MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RM150N100T2

RM150N100T2 Hakkında

RM150N100T2, Rectron USA tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paket formatında sunulan bu bileşen, 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 150A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 4.2mOhm'luk düşük Rds(On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 275W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi sistemleri ve endüstriyel denetim uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate-source sürücü voltajı ile standart lojik seviyelerinden kontrol edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6680 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 275W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) +20V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok