Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM150N100HD
MOSFET N-CH 100V 150A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM150N100HD
RM150N100HD Hakkında
RM150N100HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 150A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 4.2mOhm on-state direnci (70A, 10V koşullarında) sayesinde düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 275W maksimum güç tüketim kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6680 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 275W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 70A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok