Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM135N100T2

MOSFET N-CH 100V 135A TO220-3

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
RM135N100T2

RM135N100T2 Hakkında

RM135N100T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olup, 100V drain-source gerilimi ve 135A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.5mOhm düşük on-direnç değeri ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketlemesi ile direkt montaj sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan, maksimum 220W güç saçabilen bu transistör, invertör devreler, motor kontrolörleri, güç dönüştürücüleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. 10V gate sürücü gerilimi ile standart kontrol devrelerine uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 135A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 50 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok