Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM135N100HD

MOSFET N-CH 100V 135A TO263-2

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
RM135N100HD

RM135N100HD Hakkında

RM135N100HD, Rectron USA tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 135A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. 4.6mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-2 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 210W güç yayabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 135A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6400 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package TO-263-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok