Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM130N30D3

MOSFET N-CHANNEL 30V 130A 8DFN

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
RM130N30D3

RM130N30D3 Hakkında

RM130N30D3, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajında 130A sürekli drain akımı sağlayan yüksek akım kapasiteli bir güç transistörüdür. 3.2mΩ (10V, 30A'de) son derece düşük on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. Surface mount 8-PowerVDFN (3x3mm) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışır. 45W maksimum güç dissipasyonu kapasitesiyle güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 130A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN-EP (3x3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok