Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM130N200T7
MOSFET N-CHANNEL 200V 132A TO247
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM130N200T
RM130N200T7 Hakkında
RM130N200T7, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ile 132A sürekli drenaj akımına kapasite sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 10.9mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motorlu sürücüler, ağır yük anahtarlaması ve endüstriyel dönüştürücü devrelerde uygulanır. 429W maksimum güç tüketim kapasitesi ve düşük gate kapasitansi değerleri sayesinde hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 132A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4970 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 429W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok