Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM130N200T2
MOSFET N-CH 200V 132A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM130N200T2
RM130N200T2 Hakkında
RM130N200T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 132A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11mΩ on-state direnci (RdsOn) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında 429W maksimum güç dağıtabilir. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, şarj cihazları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V gate-source eşik gerilimi, standart sürücü devreleriyle uyumlu çalışmayı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 132A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4970 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 429W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok