Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

RM130N200HD

MOSFET N-CH 200V 132A TO263-2

Üretici
Rectron USA
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
RM130N200

RM130N200HD Hakkında

RM130N200HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 132A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 10.7mΩ on-resistance değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. TO-263-2 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 132A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4970 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.7mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263-2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok