Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM130N100T2
MOSFET N-CH 100V 130A TO220-3
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM130N100T2
RM130N100T2 Hakkında
RM130N100T2, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 130A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipinde sağlanan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 5.5mΩ on-state direnci sunar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 120W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç kaynakları ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. Düşük on-state direnci sayesinde enerji kayıpları minimize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok