Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
RM130N100HD
MOSFET N-CH 100V 130A TO263-2
- Üretici
- Rectron USA
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- RM130N100HD
RM130N100HD Hakkında
RM130N100HD, Rectron USA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 130A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürme voltajında 5.5mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücü devreleri, motor sürücüler, DC-DC konvertörler ve anahtarlamaya dayalı güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 120W maksimum güç tüketimi kabiliyeti vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok